InGaAs微光顯微鏡分析,顯微鏡InGaAs分析,宜特檢測(cè)
砷化鎵銦微光顯微鏡(InGaAs)
砷化鎵銦微光顯微鏡(InGaAs)與微光顯微鏡(EMMI)其偵測(cè)原理相同，主要差異為二者的Detector不同(InGaAs-CCD 與Si-CCD)。當(dāng)半導(dǎo)體制程不斷進(jìn)步，其組件尺寸持續(xù)微縮，相對(duì)地操作電壓也會(huì)愈來(lái)愈低，使電子電洞對(duì)復(fù)合產(chǎn)生的光波長(zhǎng)愈來(lái)愈長(zhǎng)，已達(dá)傳統(tǒng)Si-CCD的偵測(cè)極限。因InGaAs-CCD對(duì)長(zhǎng)波長(zhǎng)光線具有更高的偵測(cè)能力，同時(shí)運(yùn)用在背向(back-side)檢驗(yàn)時(shí)，無(wú)硅基材(Si-substrate)會(huì)吸收發(fā)光的干擾問(wèn)題，已成為診斷**制程組件缺點(diǎn)的利器。
偵測(cè)的到亮點(diǎn)之情況：
會(huì)產(chǎn)生亮點(diǎn)的缺點(diǎn) - Junction Leakage; Contact spiking; Hot electrons; Latch-Up; Gate oxide defects / Leakage(F-N current); Poly-silicon filaments; Substrate damage; Mechanical damage及Junction Avalanche等。
原來(lái)就會(huì)有的亮點(diǎn) - Saturated/ Active bipolar transistors; -Saturated MOS/Dynamic CMOS; Forward biased diodes/Reverse biased diodes(break down) 等。
InGaAs 本身有下列幾項(xiàng)功能：
偵測(cè) Defect 的時(shí)間,比 EMMI 短 5 ~ 10 倍。
可偵測(cè)到 EMMI偵測(cè)不到的 Defect (可偵測(cè)到微小電流及**制程的 defect)。
愈**的制程愈需要 InGaAs 才能偵測(cè)到 Defect 點(diǎn)。
可偵測(cè)到較輕微的 Metal bridge 及微小電流 (EMMI 完全偵測(cè)不到)。
關(guān)于宜特：
iST始創(chuàng)于1994年的**臺(tái)灣，主要以提供集成電路行業(yè)可靠性驗(yàn)證、材料分析、失效分析、無(wú)線認(rèn)證等技術(shù)服務(wù)。2002年進(jìn)駐上海，全球已有7座實(shí)驗(yàn)室12個(gè)服務(wù)據(jù)點(diǎn)，目前已然成為深具影響力之芯片驗(yàn)證第三方實(shí)驗(yàn)室。
InGaAs微光顯微鏡分析,顯微鏡InGaAs分析,宜特檢測(cè)
