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宜特檢測顯微鏡EMMI

文章來源:www.istgroup.com 上傳時間:2017-12-08 瀏覽次數(shù):
文章摘要:EMMI微光顯微鏡試驗(yàn),EMMI顯微鏡測試公司,宜特檢測微光顯微鏡(EMMI)對于半導(dǎo)體組件之故障分析而言,微光顯微鏡(Emission Microscope, EMMI)已被學(xué)理證實(shí)是一種相當(dāng)有用且效率極高的診斷工具。該設(shè)備具備高靈敏度的CCD,可偵測到組件中電子-電洞對再結(jié)合時所發(fā)射出來的光子,能偵測到的波長約在 350 nm ~ 1100 nm 左右。目前此設(shè)備全方面的應(yīng)用于偵測各種組件缺點(diǎn)...

EMMI微光顯微鏡試驗(yàn),EMMI顯微鏡測試公司,宜特檢測

微光顯微鏡(EMMI)

對于半導(dǎo)體組件之故障分析而言,微光顯微鏡(Emission Microscope, EMMI)已被學(xué)理證實(shí)是一種相當(dāng)有用且效率極高的診斷工具。該設(shè)備具備高靈敏度的CCD,可偵測到組件中電子-電洞對再結(jié)合時所發(fā)射出來的光子,能偵測到的波長約在 350 nm ~ 1100 nm 左右。目前此設(shè)備全方面的應(yīng)用于偵測各種組件缺點(diǎn)所產(chǎn)生的漏電流,如: Gate oxide defects / Leakage、Latch up、ESD failure、junction Leakage 等。

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偵測的到亮點(diǎn)之情況:

  • 會產(chǎn)生亮點(diǎn)的缺點(diǎn) - Junction Leakage; Contact spiking; Hot electrons; Latch-Up; Gate oxide defects / Leakage(F-N current); Poly-silicon filaments; Substrate damage; Mechanical damage及Junction Avalanche等。

  • 原來就會有的亮點(diǎn) - Saturated/ Active bipolar transistors; -Saturated MOS/Dynamic CMOS; Forward biased diodes/Reverse biased diodes(break down) 等。

關(guān)于宜特:

iST始創(chuàng)于1994年的**臺灣,主要以集成電路行業(yè)可靠性驗(yàn)證、材料分析、失效分析、無線認(rèn)證等技術(shù)服務(wù)。2002年進(jìn)駐上海,目前全球已有7座實(shí)驗(yàn)室12個服務(wù)據(jù)點(diǎn),目前已然成為深具影響力之芯片驗(yàn)證第三方實(shí)驗(yàn)室。

**咨詢電話:8009880501

(EMMI)微光顯微鏡